1. J202_D26Z
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厂商型号

J202_D26Z 

产品描述

JFET N-Channel Transistor General Purpose

内部编号

3-J202-D26Z

#1

数量:0
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美国费城
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J202_D26Z产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) 900µA @ 20V
漏极至源极电压(VDSS) -
漏电流(ID) - 最大 -
FET 型 N-Channel
- 击穿电压(V(BR)的GSS) 40V
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID 800mV @ 10nA
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
电阻 - RDS(ON) -
安装类型 Through Hole
包装材料 Tape & Reel (TR)
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
产品种类 JFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏极电流(智能决策支持系统在Vgs = 0 ) 0.9 mA to 4.5 mA
源极击穿电压 - 40 V
配置 Single
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-92-3 Kinked Lead
封装 Reel
栅源截止电压 - 4 V
功率耗散 625 mW
工厂包装数量 2000
寿命 Obsolete
供应商封装形式 TO-92
最大门源电压 -40
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
渠道类型 N
最大功率耗散 625
最大漏极栅极电压 40
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Formed
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) 40V
安装类型 Through Hole
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) 900µA @ 20V
供应商设备封装 TO-92-3
电压 - 切断(VGS关)@ Id 800mV @ 10nA
FET型 N-Channel
功率 - 最大 625mW
标准包装 2,000
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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